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抛光片

抛光片

抛光片是FZ、CZ或MCZ硅锭经过切割、研磨和抛光等工序形成几乎完美表面的硅片,在平整度和表面质量方面满足最高标准。根据掺杂元素的浓度不同,划分为轻掺抛光片和重掺抛光片。

外延片

外延片

外延片由抛光片经过外延生长形成,在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的外延层。

氩退火片

氩退火片

氩退火片是在氩气环境中经过退火热处理在硅片表面形成洁净区的抛光片,利用退火工艺提升吸杂能力,消除表面缺陷,改善器件性能。

其他产品

其他产品

硅研磨片,经过抛光等精密加工可制成抛光片以及外延片;
硅腐蚀片,即利用混酸蚀刻的硅片,去除表面应力损伤层,整片硅片维持高质量的单晶特性。

抛光片


抛光片是FZ、CZ或MCZ硅锭经过切割、研磨和抛光等工序形成几乎完美表面的硅片,在平整度和表面质量方面满足最高标准。根据掺杂元素的浓度不同,划分为轻掺抛光片和重掺抛光片。

外延片


外延片由抛光片经过外延生长形成,在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的外延层。

氩退火片


氩退火片是在氩气环境中经过退火热处理在硅片表面形成洁净区的抛光片,利用退火工艺提升吸杂能力,消除表面缺陷,改善器件性能。

其他产品


硅研磨片,经过抛光等精密加工可制成抛光片以及外延片;
硅腐蚀片,即利用混酸蚀刻的硅片,去除表面应力损伤层,整片硅片维持高质量的单晶特性。

抛光片
外延片
氩退火片
其他产品

硅片类型选择

抛光片

外延片

氩退火片

其他产品

产品规格

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
300mm     MCZ/CZ

<100>

<110>

<111>

N,P

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
200mm     MCZ/CZ

<100>

<111>

N,P
FZ

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
≤150mm CZ/FZ

<100>

<111>

N,P

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
300mm MCZ/CZ

<110>

<100>

N,P

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
200mm MCZ/CZ

<100>

<111>

N,P

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
≤150mm CZ

<100>

<111>

N,P
产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
300mm MCZ

<100>

P

 

产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
200mm MCZ/CZ

<100>

P
研磨片 产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
≤150mm CZ/FZ

<100>

<111>

N,P

 

腐蚀片 产品尺寸 工艺 晶向 导电型号
≤150mm CZ/FZ

<100>

<111>

N,P

产品特性与应用

FZ

区熔

特性

 

高压

大电流

应用

 

高压电力电子

微电子器械

变频变压等

图片名称
FZ

CZ

重掺
直拉

特性

 

节能

高频率

应用

 

电源开关

光电传感器

图像传感器等

图片名称
CZ

MCZ

轻掺
直拉

特性

 

高存储密度

高性能计算

低运算功耗

应用

 

存储芯片

模拟信号芯片

逻辑运算芯片等

图片名称
MCZ