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抛光片
抛光片是FZ、CZ或MCZ硅锭经过切割、研磨和抛光等工序形成几乎完美表面的硅片，在平整度和表面质量方面满足最高标准。根据掺杂元素的浓度不同，划分为轻掺抛光片和重掺抛光片。
外延片
外延片由抛光片经过外延生长形成，在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的外延层。
SOI片
SOI硅片即绝缘体上硅，在顶层硅和支撑衬底之间引入一层氧化物绝缘埋层，应用于制作高性能、低功耗、高集成度的芯片。
氩退火片
氩退火片是在氩气环境中经过退火热处理在硅片表面形成洁净区的抛光片，利用退火工艺提升吸杂能力，消除表面缺陷，改善器件性能。
SiC外延片
SiC碳化硅外延片，是在碳化硅衬底上生长一层具有特定要求且与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片。
硅基GaN外延片
硅基GaN氮化镓外延片，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。
其他产品
硅研磨片，经过抛光等精密加工可制成抛光片以及外延片；
硅腐蚀片，即利用混酸蚀刻的硅片，去除表面应力损伤层，整片硅片维持高质量的单晶特性。
硅片类型选择
抛光片
外延片
SOI片
氩退火片
SiC外延片
硅基GaN外延片
其他产品
产品规格
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ/CZ |
<100> <110> <111> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> <111> |
N,P |
| FZ |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ/CZ |
<110> <100> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> <111> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ |
<100> <111> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 300mm | SOI |
<100> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | SOI |
<100> |
N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ |
<100> |
P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> |
P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | / | <11-20> | N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | / | <11-20> | N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| 200mm | EPI | <0002> | N,P |
| 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | EPI | <0002> | N,P |
| 研磨片 | 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
| 腐蚀片 | 产品尺寸 | 工艺 | 晶向 | 导电型号 |
|---|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
产品特性与应用
FZ
区熔
特性
高压
大电流
应用
高压电力电子
微电子器械
变频变压等
CZ
重掺
直拉
特性
节能
高频率
应用
电源开关
光电传感器
图像传感器等
MCZ
轻掺
直拉
特性
高存储密度
高性能计算
低运算功耗
应用
存储芯片
模拟信号芯片
逻辑运算芯片等
GaN
SiC
半导体材料
第三代
特性
耐高温
耐辐射
高频率
高转化效率
应用
高效率快充
新能源车主驱逆变等
